DRAM技术 | 翊谦网络科技（深圳）有限公司

DRAM技术

长鑫存储G5平台量产微缩工艺突破行业标杆

2026年9月20日，长鑫存储在世界制造业大会上宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）正式实现量产。这一突破性进展同步展示了基于该平台打造的LPDDR5X大容量新品，标志着中国存储技术迈入全球顶尖梯队。

DRAM技术微缩工艺存储芯片半导体制造

56 2026-09-20

中国DRAM厂商长鑫存储近日宣布在DRAM晶体管中引入高K金属栅极技术。这项突破性进展不仅解决了制程微缩带来的漏电问题，更为向更先进的1a级节点演进铺平道路。据业内人士透露，该技术已开始应用于G4代DRAM制程及LPDDR5X产品。

DRAM技术高K金属栅极存储芯片

64 2026-08-28